功能材料与器件学报杂志部级期刊

功能材料与器件学报 2008年第05期杂志 文档列表

功能材料与器件学报杂志论文

硅基扩镓溅射Ga2O3反应自组装GaN薄膜第853-858页

关键词: ga2o3；  薄膜；  gan薄膜；  射频磁控溅射；  扩镓时间；  

脉冲阳极氧化工艺制作GaAs／AlGaAs宽条形半导体激光器第859-863页

关键词: 湿法刻蚀；  脉冲阳极氧化；  斜率效率；  

气-液-固法在半导体纳米线生长中的应用第864-870页

关键词: 金属催化剂；  纳米线与阵列；  生长机制；  

深亚微米SOAN MOSFETs的高温应用分析与结构优化第871-876页

关键词: 高温；  soan；  soi；  结构优化；  

PDMS氧等离子体长效活性表面处理及与Si的键合第877-882页

关键词: 氧等离子体；  键合；  xps；  

反馈部件的性能参数对热电型气体传感器的影响第883-888页

关键词: 热电材料；  铅酸钡锶；  氢气传感器；  

基于InP衬底的应变和应变补偿的InGaAs／InAlAs材料的高分辨X射线衍射分析第889-894页

关键词: 高分辨x射线衍射；  ingaas；  inalas；  错向角；  摇摆曲线；  倒空间mapping；  

LaNiO3底电极上的BiFeO3薄膜的铁电性能第895-899页

关键词: bifeo3薄膜；  铁电性；  介电性质；  漏电流；  

硫化温度对CuInS2吸收层薄膜微结构的影响第900-906页

关键词: cultis2薄膜；  硫化温度；  kcn刻蚀；  

柔性FeCoSiB非晶磁弹性薄膜的应力阻抗效应第907-910页

关键词: 柔性基底；  fecosib非晶磁弹性薄膜；  应力阻抗效应；  

功能材料与器件学报杂志简报

衬底温度对射频磁控溅射制备HfO2薄膜结构的影响第911-914页

关键词: 射频磁控溅射；  hfo2薄膜；  衬底温度；  微观结构；  

单光子源低密度长波长InAs／GaAs量子点的制备第915-918页

关键词: 单光子源；  低密度；  量子点；  

基于原子力显微技术的PZT微阵列图形铁电性能第919-922页

关键词: 锆钛酸铅；  铁电薄膜；  电滞回线；  微细图形；  

多晶硅栅耗尽导致的SRAM单比特位失效分析第923-926页

关键词: 静态随机存储器；  单比特位失效；  多晶硅栅耗尽；  

Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷第927-930页

关键词: vdmos；  辐照；  氧化物陷阱电荷；  界面态电荷；